Persamaan Transistor D998 B778 Jun 2026

Berikut adalah tabel spesifikasi teknis utama sebagai acuan pencarian persamaan: Parameter Kelistrikan Transistor D998 (2SD998) Transistor B778 (2SB778) NPN Silicon PNP Silicon Tegangan Kolektor-Emitor ( VCEOcap V sub cap C cap E cap O end-sub ) Max 120 Volt Max -120 Volt Tegangan Kolektor-Basis ( VCBOcap V sub cap C cap B cap O end-sub ) Max 120 Volt Max -120 Volt Arus Kolektor Kontinu ( ICcap I sub cap C ) Max 10 Ampere Max -10 Ampere Disipasi Daya Total ( PDcap P sub cap D ) 80 - 100 Watt 80 - 100 Watt Penguatan Arus DC ( hFEh sub cap F cap E end-sub ) 55 hingga 160 80 hingga 160 Frekuensi Transisi ( fTf sub cap T ) Min 10 MHz Min 10 MHz Tipe Kemasan TO-3P / TO-3PF TO-3P / TO-3PF Daftar Persamaan Transistor D998 B778

These transistors are built for durability and high-performance power handling: Power Output : Capable of delivering up to 80W to 100W Voltage Capacity : They can handle a collector-emitter voltage ( cap V sub cap C cap E cap O end-sub ) of up to Current Handling : Designed for a maximum collector current ( cap I sub cap C Thermal Design : They typically come in a Persamaan Transistor D998 B778

Sebelum mencari komponen pengganti, Anda harus memahami lembar data ( datasheet ) asli dari pasang komponen ini. Baik D998 maupun B778 umumnya diproduksi dalam kemasan atau TO-3PF yang dirancang untuk pembuangan panas yang efisien. Berikut adalah tabel spesifikasi teknis utama sebagai acuan

Transistor 2SD998 (NPN) dan 2SB778 (PNP) merupakan pasangan komplementer ( matching pair ) yang sangat populer digunakan pada modul power amplifier kendaraan (audio mobil), penguat instrumen, serta sistem audio rumah tangga dengan daya menengah sekitar 45W hingga 50W. Persamaan Transistor D998 B778